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    Diodes Incorporated DMG6602SVT-7

    部品番号:
    DMG6602SVT-7
    メーカー:
    Diodes Incorporated
    カテゴリー:
    FET、MOSFET アレイ
    パッケージ:
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    データシート:
    ボムキー エレクトロニクスDMG6602SVT-7.pdf
    説明:
    MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
    支払い:
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    配送:
    Shipping

    DMG6602SVT-7 仕様

    Diodes Incorporated DMG6602SVT-7 技術仕様,属性,パラメータおよび類似した仕様の部品 Diodes Incorporated DMG6602SVT-7.
    • 仕様
    • よくある質問
    属性
    プロパティ値
    メーカー
    Diodes Incorporated
    シリーズ:
    -
    パッケージ/ケース:
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    パッケージ:
    Tape & Reel (TR)
    製品状態:
    Not For New Designs
    テクノロジ:
    MOSFET (Metal Oxide)
    構成:
    N and P-Channel
    FET 機能:
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ドレイン - ソース間電圧 (Vdss):
    30V
    電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
    3.4A, 2.8A
    Rds On (最大) @ Id、Vgs:
    60mOhm @ 3.1A, 10V
    Vgs(th) (最大) @ Id:
    2.3V @ 250µA
    ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:
    13nC @ 10V
    入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
    400pF @ 15V
    電力 - 最大:
    840mW
    動作温度:
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    グレード:
    -
    資格:
    -
    マウントタイプ:
    Surface Mount
    サプライヤ デバイス パッケージ:
    TSOT-26
    カテゴリー:
    FET、MOSFET アレイ
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    1. 注文方法 DMG6602SVT-7 について ボムキー エレクトロニクス?

    現在、, ボムキー エレクトロニクス ピアツーピアの注文処理のみを提供しています。RFQを提出すると、当社の専門エージェントがグローバル市場での競争力のある価格をお知らせし、オファーを受け入れた場合、エージェントが注文を完了するよう促します。.

    2. どのようにして ボムキー エレクトロニクス がオリジナルメーカーまたは認定代理店からのものであることを保証していますか DMG6602SVT-7 について?

    当社は、専門的で経験豊富な品質管理チームを有しており、 DMG6602SVT-7. すべてのサプライヤーは、当社の資格審査に合格しなければ、 DMG6602SVT-7 を含む製品を公開することはできません。 ボムキー エレクトロニクス; 当社は、他のどの顧客よりも DMG6602SVT-7 製品のチャネルと品質に注意を払っています。サプライヤー監査を厳格に実施しているため、安心して購入できます。 .

    3. 表示されている DMG6602SVT-7 価格と在庫は正確ですか?

    の価格と在庫は頻繁に変動 DMG6602SVT-7 し、リアルタイムで更新されることはありません。24時間以内に定期的に更新されます。また、当社の見積もりは通常5日後に失効します。

    4. どのような支払い方法が利用可能ですか?

    銀行振込、PayPal、Alipay、Wechat、クレジットカード、Western Union、MoneyGram、Escrowが利用可能です.

    注意:一部の注文では、特定の支払い方法に手数料がかかる場合があります.

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    お客様は、DHL、UPS、FedEx、TNT、Registered Mailなどの業界をリードする運送会社を選択できます。配送保険も利用可能です.

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    注意:運送会社が追跡情報を表示するまでに最大24時間かかる場合があります。通常、速達便は3〜5日、登録郵便は25〜60日かかります.

    6. 返品または交換のプロセスはどのようになりますか DMG6602SVT-7?

    すべての商品は出荷前検査(PSI)を実施し、注文の全バッチからランダムに選ばれ、出荷前に系統的な検査を行います。 DMG6602SVT-7 に問題がある場合、以下のすべての条件が満たされた場合にのみ、 DMG6602SVT-7 の交換または返品を受け付けます:

    (1)数量不足、誤った商品の配送、明らかな外観上の欠陥(破損や錆など)があり、当社がその問題を認識している場合.

    (2)配送後90日以内に上記の欠陥について当社に通知された場合 DMG6602SVT-7.

    (3)PartNoが未使用で、元の未開封のパッケージに入っている場合.

    製品を返品するための2つのプロセス:

    (1)90日以内に当社に通知する

    (2)返品承認を取得する

    7.技術サポートを受けるために当社に連絡する方法、例えば DMG6602SVT-7 ピン配置図, DMG6602SVT-7 データシート?

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    画像 DMG6602SVT-7 DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTX-7
    部品番号 DMG6602SVT-7 DMG6602SVTQ-7 DMG6602SVTX-7
    メーカー Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
    シリーズ - - -
    パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    パッケージ Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
    製品状態 Not For New Designs Active Active
    テクノロジ MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
    構成 N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel Complementary
    FET 機能 Logic Level Gate, 4.5V Drive - -
    ドレイン - ソース間電圧 (Vdss) 30V 30V 30V
    電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 3.4A, 2.8A 3.4A, 2.8A 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
    Rds On (最大) @ Id、Vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V 60mOhm @ 3.1A, 10V 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
    Vgs(th) (最大) @ Id 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA
    ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 13nC @ 10V 13nC @ 10V 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
    入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 400pF @ 15V 400pF @ 15V 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
    電力 - 最大 840mW 840mW 840mW (Ta)
    動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
    グレード - - Automotive
    資格 - - AEC-Q101
    マウントタイプ Surface Mount Surface Mount Surface Mount
    サプライヤ デバイス パッケージ TSOT-26 TSOT-26 TSOT-26

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