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    FET、MOSFET

    メーカー シリーズ パッケージ/ケース パッケージ 製品状態 FET タイプ テクノロジ ドレイン - ソース間電圧 (Vdss) 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 駆動電圧 (最大 Rds On、最小 Rds On) Rds On (最大) @ Id、Vgs Vgs(th) (最大) @ Id ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs Vgs (最大) 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds FET 機能 消費電力 (最大) 動作温度 グレード 資格 マウントタイプ サプライヤ デバイス パッケージ

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    写真 メーカー部品番号 在庫状況 価格 数量 データシート シリーズ パッケージ/ケース パッケージ 製品状態 FET タイプ テクノロジ ドレイン - ソース間電圧 (Vdss) 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 駆動電圧 (最大 Rds On、最小 Rds On) Rds On (最大) @ Id、Vgs Vgs(th) (最大) @ Id ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs Vgs (最大) 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds FET 機能 消費電力 (最大) 動作温度 グレード 資格 マウントタイプ サプライヤ デバイス パッケージ
    SCT3030AW7TL

    SCT3030AW7TL

    SICFET N-CH 650V 70A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    432
    RFQ
    SCT3030AW7TL

    データシート

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 70A (Tc) - 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 104 nC @ 18 V +22V, -4V 1526 pF @ 500 V - 267W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IXTT3N200P3HV

    IXTT3N200P3HV

    MOSFET N-CH 2000V 3A TO268

    Littelfuse Inc.

    300
    RFQ
    IXTT3N200P3HV

    データシート

    Polar P3™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2000 V 3A (Tc) 10V 8Ohm @ 1.5A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1860 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXTT)
    SCT3040KW7TL

    SCT3040KW7TL

    SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    986
    RFQ
    SCT3040KW7TL

    データシート

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 56A (Tc) - 52mOhm @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107 nC @ 18 V +22V, -4V 1337 pF @ 800 V - 267W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    SCT3030ALHRC11

    SCT3030ALHRC11

    SICFET N-CH 650V 70A TO247N

    Rohm Semiconductor

    445
    RFQ
    SCT3030ALHRC11

    データシート

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 70A (Tc) 18V 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 104 nC @ 18 V +22V, -4V 1526 pF @ 500 V - 262W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    STY112N65M5

    STY112N65M5

    MOSFET N-CH 650V 96A MAX247

    STMicroelectronics

    543
    RFQ
    STY112N65M5

    データシート

    MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 96A (Tc) 10V 22mOhm @ 47A, 10V 5V @ 250µA 350 nC @ 10 V ±25V 16870 pF @ 100 V - 625W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole MAX247™
    IXTX8N150L

    IXTX8N150L

    MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247-3

    IXYS

    256
    RFQ
    IXTX8N150L

    データシート

    Linear TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 8A (Tc) 20V 3.6Ohm @ 4A, 20V 8V @ 250µA 250 nC @ 15 V ±30V 8000 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    SCT3040KLHRC11

    SCT3040KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 55A TO247N

    Rohm Semiconductor

    849
    RFQ
    SCT3040KLHRC11

    データシート

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 55A (Tc) 18V 52mOhm @ 20A, 18V 5.6V @ 10mA 107 nC @ 18 V +22V, -4V 1337 pF @ 800 V - 262W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    S2M0025120D

    S2M0025120D

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    300
    RFQ
    S2M0025120D

    データシート

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 63A (Tj) 20V 34mOhm @ 50A, 20V 4V @ 15mA 130 nC @ 20 V +25V, -10V 4402 pF @ 1000 V - 446W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    S2M0025120K

    S2M0025120K

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    270
    RFQ
    S2M0025120K

    データシート

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 63A (Tc) 20V 34mOhm @ 50A, 20V 4V @ 15mA 130 nC @ 20 V +25V, -10V 4402 pF @ 1000 V - 446W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IXFN80N50Q3

    IXFN80N50Q3

    MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B

    IXYS

    140
    RFQ
    IXFN80N50Q3

    データシート

    HiPerFET™, Q3 Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 63A (Tc) 10V 65mOhm @ 40A, 10V 6.5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 10000 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXTN17N120L

    IXTN17N120L

    MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B

    Littelfuse Inc.

    240
    RFQ
    IXTN17N120L

    データシート

    Linear SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 15A (Tc) 20V 900mOhm @ 8.5A, 20V 5V @ 250µA 155 nC @ 15 V ±30V 8300 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    SCT3022ALHRC11

    SCT3022ALHRC11

    SICFET N-CH 650V 93A TO247N

    Rohm Semiconductor

    2,246
    RFQ
    SCT3022ALHRC11

    データシート

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 93A (Tc) 18V 28.6mOhm @ 36A, 18V 5.6V @ 18.2mA 133 nC @ 18 V +22V, -4V 2208 pF @ 500 V - 339W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    SCT3030KLHRC11

    SCT3030KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 72A TO247N

    Rohm Semiconductor

    580
    RFQ
    SCT3030KLHRC11

    データシート

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 72A (Tc) 18V 39mOhm @ 27A, 18V 5.6V @ 13.3mA 131 nC @ 18 V +22V, -4V 2222 pF @ 800 V - 339W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    IXTB62N50L

    IXTB62N50L

    MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264

    Littelfuse Inc.

    195
    RFQ
    IXTB62N50L

    データシート

    Linear TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 62A (Tc) 20V 100mOhm @ 31A, 20V 5.5V @ 250µA 550 nC @ 20 V ±30V 11500 pF @ 25 V - 800W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
    IXTX1R4N450HV

    IXTX1R4N450HV

    MOSFET N-CH 4500V 1.4A TO247PLUS

    Littelfuse Inc.

    297
    RFQ
    IXTX1R4N450HV

    データシート

    - TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4500 V 1.4A (Tc) 10V 40Ohm @ 50mA, 10V 6V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247PLUS-HV
    IXTN30N100L

    IXTN30N100L

    MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B

    Littelfuse Inc.

    593
    RFQ
    IXTN30N100L

    データシート

    Linear SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 30A (Tc) 20V 450mOhm @ 15A, 20V 5.5V @ 250µA 545 nC @ 20 V ±30V 13700 pF @ 25 V - 800W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IXTF1R4N450

    IXTF1R4N450

    MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC

    IXYS

    1,099
    RFQ
    IXTF1R4N450

    データシート

    - i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4500 V 1.4A (Tc) 10V 40Ohm @ 50mA, 10V 6V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    SCT3017ALGC11

    SCT3017ALGC11

    650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR

    Rohm Semiconductor

    435
    RFQ
    SCT3017ALGC11

    データシート

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 118A (Tc) 18V 22.1mOhm @ 47A, 18V 5.6V @ 23.5mA 172 nC @ 18 V +22V, -4V 2884 pF @ 500 V - 427W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    SCT3017ALHRC11

    SCT3017ALHRC11

    SICFET N-CH 650V 118A TO247N

    Rohm Semiconductor

    1,098
    RFQ
    SCT3017ALHRC11

    データシート

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 118A (Tc) 18V 22.1mOhm @ 47A, 18V 5.6V @ 23.5mA 172 nC @ 18 V +22V, -4V 2884 pF @ 500 V - 427W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    SCT3022KLHRC11

    SCT3022KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

    Rohm Semiconductor

    1,127
    RFQ
    SCT3022KLHRC11

    データシート

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 95A (Tc) 18V 28.6mOhm @ 36A, 18V 5.6V @ 18.2mA 178 nC @ 18 V +22V, -4V 2879 pF @ 800 V - 427W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
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