| メーカー | シリーズ | パッケージ/ケース | パッケージ | 製品状態 | FET タイプ | テクノロジ | ドレイン - ソース間電圧 (Vdss) | 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 駆動電圧 (最大 Rds On、最小 Rds On) | Rds On (最大) @ Id、Vgs | Vgs(th) (最大) @ Id | ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | Vgs (最大) | 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | FET 機能 | 消費電力 (最大) | 動作温度 | グレード | 資格 | マウントタイプ | サプライヤ デバイス パッケージ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 写真 | メーカー部品番号 | 在庫状況 | 価格 | 数量 | データシート | シリーズ | パッケージ/ケース | パッケージ | 製品状態 | FET タイプ | テクノロジ | ドレイン - ソース間電圧 (Vdss) | 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 駆動電圧 (最大 Rds On、最小 Rds On) | Rds On (最大) @ Id、Vgs | Vgs(th) (最大) @ Id | ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | Vgs (最大) | 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | FET 機能 | 消費電力 (最大) | 動作温度 | グレード | 資格 | マウントタイプ | サプライヤ デバイス パッケージ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
P3M06060G7SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7 |
6,512 | - |
|
データシート |
P3M | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 44A | 15V | 79mOhm @ 20A, 15V | 2.2V @ 20mA (Typ) | - | +20V, -8V | - | - | 159W | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK-7 |
|
SCT4013DTWSiC FET Top Side Cooling |
3,523 | - |
|
データシート |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |


