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    単一ダイオード

    メーカー シリーズ パッケージ/ケース パッケージ 製品状態 テクノロジ 電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) 電流 - 平均整流 (Io) 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If 速度 逆回復時間 (trr) 電流 - 逆方向リーク @ Vr 静電容量 @ Vr、F グレード 資格 マウントタイプ サプライヤ デバイス パッケージ 動作温度 - 接合部

    すべてリセット
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    結果
    写真 メーカー部品番号 在庫状況 価格 数量 データシート シリーズ パッケージ/ケース パッケージ 製品状態 テクノロジ 電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) 電流 - 平均整流 (Io) 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If 速度 逆回復時間 (trr) 電流 - 逆方向リーク @ Vr 静電容量 @ Vr、F グレード 資格 マウントタイプ サプライヤ デバイス パッケージ 動作温度 - 接合部
    1SS357

    1SS357

    Surface Mount Schottky Barrier D

    HY Electronic (Cayman) Limited

    7,479
    RFQ
    1SS357

    データシート

    - SC-76, SOD-323 Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 100mA 600 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 10 ns 5 µA @ 40 V 25pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SOD-323 125°C
    1N4148WS

    1N4148WS

    High Speed Switching Diode

    HY Electronic (Cayman) Limited

    7,410
    RFQ
    1N4148WS

    データシート

    - SC-76, SOD-323 Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 150mA 1.25 V @ 150 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 1 µA @ 75 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SOD-323 125°C
    BAS316

    BAS316

    High Speed Switching Diode

    HY Electronic (Cayman) Limited

    4,612
    RFQ
    BAS316

    データシート

    - SC-76, SOD-323 Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 250mA 1.25 V @ 150 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 1 µA @ 75 V 1.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SOD-323 150°C
    1N5408-A

    1N5408-A

    MODULE

    Diodes Incorporated

    6,829
    RFQ
    1N5408-A

    データシート

    - DO-201AD, Axial Bulk Obsolete Standard 1000 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1000 V 25pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
    MBRB745-M3C/I

    MBRB745-M3C/I

    DIODE ARRAY

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    2,311
    RFQ
    MBRB745-M3C/I

    データシート

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
    MBRB1045HM3/I

    MBRB1045HM3/I

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    5,070
    RFQ
    MBRB1045HM3/I

    データシート

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 10A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 45 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -65°C ~ 150°C
    FESB16DT-M3/I

    FESB16DT-M3/I

    DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    8,415
    RFQ
    FESB16DT-M3/I

    データシート

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 16A 975 mV @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V 175pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -65°C ~ 150°C
    MBRB1045-M3/I

    MBRB1045-M3/I

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    8,868
    RFQ
    MBRB1045-M3/I

    データシート

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 10A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 45 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -65°C ~ 150°C
    RB551V-30

    RB551V-30

    DIODE

    Comchip Technology

    9,096
    RFQ
    RB551V-30

    データシート

    - SC-76, SOD-323 Bulk Obsolete Schottky 30 V 500mA 470 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - - - Surface Mount SOD-323 -40°C ~ 125°C
    PCFF50S65W

    PCFF50S65W

    DIODE SILICON CARBIDE

    onsemi

    8,877
    RFQ
    PCFF50S65W

    データシート

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
    PCF430NZW-SN00383

    PCF430NZW-SN00383

    DIODE SILICON CARBIDE

    onsemi

    7,096
    RFQ
    PCF430NZW-SN00383

    データシート

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
    BAS21A

    BAS21A

    SIGNAL SWITCHING DIODE SOT23

    Diodes Incorporated

    6,849
    RFQ
    BAS21A

    データシート

    - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - -
    FB230H

    FB230H

    SCHOTTKY DIODE SOD-323

    Diodes Incorporated

    2,960
    RFQ
    FB230H

    データシート

    - SC-76, SOD-323 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 2A 600 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 60 µA @ 30 V 1160pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOD-323 -55°C ~ 125°C
    1SR154-400TFTE25

    1SR154-400TFTE25

    ROHM

    Rohm Semiconductor

    8,252
    RFQ
    1SR154-400TFTE25

    データシート

    - DO-214AC, SMA Bulk Obsolete Standard 400 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 400 V - - - Surface Mount PMDS 150°C
    VS-100BGQ030-N4

    VS-100BGQ030-N4

    DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    6,380
    RFQ
    VS-100BGQ030-N4

    データシート

    - PowerTab® Bulk Active Schottky 30 V 100A 630 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2.4 mA @ 30 V 3800pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole PowerTab® -55°C ~ 150°C
    VS-150EBU04HN4

    VS-150EBU04HN4

    DIODE GP 400V 150A POWERTAB

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    5,145
    RFQ
    VS-150EBU04HN4

    データシート

    - PowerTab® Tube Active Standard 400 V 150A 1.3 V @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 93 ns 50 µA @ 400 V - - - Through Hole PowerTab® -55°C ~ 175°C
    VS-175BGQ030-N4

    VS-175BGQ030-N4

    DIODE SCHOTTKY 30V 175A POWIRTAB

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    4,584
    RFQ
    VS-175BGQ030-N4

    データシート

    - PowerTab® Bulk Active Schottky 30 V 175A 590 mV @ 175 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 4.8 mA @ 30 V 8500pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole PowerTab® -55°C ~ 150°C
    VS-150EBU04-N4

    VS-150EBU04-N4

    DIODE GP 400V 150A POWIRTAB

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    5,486
    RFQ
    VS-150EBU04-N4

    データシート

    - PowerTab® Bulk Active Standard 400 V 150A 1.3 V @ 150 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 50 µA @ 400 V - - - Through Hole PowerTab® -55°C ~ 175°C
    VS-175BGQ045-N4

    VS-175BGQ045-N4

    DIODE SCHOTTKY 45V 175A POWIRTAB

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    3,681
    RFQ
    VS-175BGQ045-N4

    データシート

    - PowerTab® Bulk Active Schottky 45 V 175A 750 mV @ 175 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 45 V 5600pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole PowerTab® -55°C ~ 150°C
    VS-80EBU02HN4

    VS-80EBU02HN4

    DIODE GEN PURP 200V 80A POWERTAB

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    7,946
    RFQ
    VS-80EBU02HN4

    データシート

    - PowerTab® Tube Active Standard 200 V 80A 1.1 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 50 µA @ 200 V - - - Through Hole PowerTab® -55°C ~ 175°C
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